目前，高通已經(jīng)正式宣布，2023驍龍峰會(huì)定檔10月24日至10月26日。

結(jié)合以往的情況來看，這次活動(dòng)中將會(huì)正式推出第三代驍龍8旗艦平臺(tái)，即此前被多次曝光的驍龍8 Gen3芯片。

而在今年的驍龍8 Gen3芯片發(fā)布前，網(wǎng)絡(luò)上也出現(xiàn)了關(guān)于更久之后的驍龍 8 Gen 4 的細(xì)節(jié)信息。

最新的消息中提到，高通正在進(jìn)行 3nm 芯片的推進(jìn)，并逐漸展開產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)劃。

而就目前爆料中的信息來看，高通很有可能會(huì)與臺(tái)積電、三星合作來生產(chǎn)全新的驍龍 8 Gen 4 芯片。

其中，標(biāo)準(zhǔn)版本的驍龍 8 Gen 4 將由臺(tái)積電負(fù)責(zé)生產(chǎn)；三星則將承擔(dān)高通驍龍 8 Gen 4 for Galaxy的生產(chǎn)，也就是驍龍 8 Gen 4“領(lǐng)先版”，其將采用三星的 3nm GAP 工藝。

與此同時(shí)，這兩款芯片產(chǎn)品有可能會(huì)同時(shí)到來，但“領(lǐng)先版”可能會(huì)延后開放給其他廠商使用銷售。

以往的消息曾提到過，三星電子先進(jìn)制程良率較低，自5nm制程開始一直存在良率問題，在4nm和3nm工藝上情況變得更加糟糕。

據(jù)傳三星3nm自量產(chǎn)以來，良率不超過20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。三星目前在4nm和5nm藝節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了與產(chǎn)量有關(guān)的問題，其不希望這個(gè)問題再次出現(xiàn)在3nm工藝上。

相關(guān)消息顯示，三星3nm工藝的改進(jìn)目前仍在進(jìn)行中，4nm的工藝提升已初見成效。

據(jù)鳳凰網(wǎng)科技報(bào)道稱，三星4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水準(zhǔn)，下一代4nm制程將提供更高的良率。

不過，就最新爆料中顯示的信息來看，三星可能還需要兩年左右的時(shí)間才能夠再次進(jìn)行基于3nm工藝的旗艦平臺(tái)的產(chǎn)品生產(chǎn)。但隨著時(shí)間的推進(jìn)，整體的情況發(fā)展也存在著變化的可能。

而在高通的3nm芯片到來前，全新的驍龍 8 Gen 3 旗艦平臺(tái)將會(huì)首先到來。

此前，一份爆料顯示，全新的驍龍8 Gen3單核跑分成績2233，多核跑分成績 6661。

對(duì)比來看，搭載了3.36GHz驍龍8 Gen2的三星Galaxy S23 Plus單核成績2005，多核成績5274；搭載了天璣9200+的設(shè)備單核成績2117，多核成績5583。

就此來看，新一代的驍龍8 Gen3在性能表現(xiàn)方面將持續(xù)帶來升級(jí)。

據(jù)悉，驍龍8 Gen3將基于臺(tái)積電N4P工藝打造，擁有 1 顆3.3GHz頻率的Cortex X4 超大核、3顆3.15GHz的 A720 大核、2顆2.96GHz 的A720 大核，以及2顆2.27GHz的 A530 小核，配備 Adreno 750 GPU。

與之對(duì)比，第二代驍龍8基于 4 納米工藝制造，采用1+2+2+3 架構(gòu)，擁有1個(gè)主頻3.2GHz的超大核、4個(gè)主頻2.8GHz的性能核、3個(gè)頻率2.0GHz的能效核。

而更早之前的消息則顯示，全新驍龍8 Gen3芯片普通版的頻率將在3.18/3.2GHz左右，安兔兔跑分達(dá)到160萬，GFX ES3.1 280FPS±。

與之對(duì)比，驍龍 8 Gen 2 的安兔兔跑分在 133萬左右，GFX ES3.1 220FPS±。

至于可能會(huì)搭載這顆芯片的手機(jī)產(chǎn)品，目前已經(jīng)曝光了多款。而結(jié)合以往的消息來看，小米新一代的數(shù)字旗艦首發(fā)搭載的可能性要更大一些。

與此同時(shí)，摩托羅拉、OPPO、vivo、iQOO、一加、魅族、中興、努比亞等品牌都有望推出搭載了驍龍 8 Gen 3芯片的手機(jī)產(chǎn)品。